Räumliche Modellierung des PECVD-Prozesses
Im Zyklus I der Herstellung mikroelektronischer Strukturen auf Halbleitersubstraten werden vor allem Isolatorenschichten
der MIS-Strukturen (Si-Dioxid bzw. -nitrid) durch CVD abgeschieden. Die plasmagestütze Variante erlaubt dabei, die Substrattemperaturen
und damit die Belastung der bereits fertiggestellten Strukturen entscheidend zu senken.
Ausgansgpunkt der hier beschriebenen Arbeiten ist das Reaktanden-Verarmungsproblem in den verwendeten Batch-Reaktoren im LPCVD-Prozess,
das sowohl entlang der Zylinderachse des Scheibenpakets als auch entlang des Scheibenradius‘ zu Inhomogenitäten der abgeschiedenen Schicht führt.
Die Inhomogenität der Reaktandenkonzentration wird durch ein radiales bzw. axiales Temperaturprofil kompensiert. Dabei wird die Homogenität
der Abscheiderate allerdings auf Kosten der Morphologie der Schicht erkauft. Ziel der räumlichen Modellierung sind Aussagen zur Homogenität
der abgeschiedenen Schicht (Abscheiderate und Morphologie) mit den Möglichkeiten der Einzelscheibenverarbeitung, in zylindersymmetrischen Systemen
also zum radialen Verlauf, der angesichts der zu erwartenden weiteren Vergrößerung der Waferdurchmesser zunehmend relevant wird.
Dabei sind Möglichkeiten zur Lösung des Verarmungsproblems durch Gestaltung der Reaktanden-Transportgeometrie (Mindest-Transportraum über dem Substrat;
Abstimmung von Diffusions- und Konvektionstransport) bzw. durch gezielte Beeinflussung der räumlichen Verteilung der Volumenanregungsprozesse zu suchen.
Zur Modellierung des Abscheideprozesses sind zunächst die Volumentransportprozesse zu analysieren (Konvektion und Diffusion), wobei Konvektionsstrom und Temperatur
von der Reaktandenbilanz entkoppelt berechnet wird, der Abscheideprozess selbst wird dann als Randwert des entstehenden Differentialgleichungssystems berücksichtigt.
Allerdings ist das Stoffsystem beim plasmagestützten CVD-Prozess wesentlich komplizierter; während bei rein thermisch aktivierter CVD Volumenreaktionen nur
parasitär betrachtet werden, spielen die Volumen-Anregungsprozesse bei der Chemie der bei geringeren Substrattemperaturen ablaufenden PECVD eine entscheidende Rolle.
Durch Stoßprozesse mit den energiereichen Plasmaelektronen entstehen instabile Radikale, die, soweit sie zum Substrat gelangen, bereits bei niedrigen Temperaturen
zur Schichtbildung führen. Das bedeutet, dass diese angeregten Teilchen ebenso wie die Elektronen bei der Reaktandenbilanz unbedingt mit zu berücksichtigen sind.
Da die Wirkungsquerschnitte der Anregungsstöße abhängig von der Elektronenenergie sind, ist auch die Energie der Plasmaelektronen in die Bilanzierung mit einzubeziehen.
Für die Lösung der partiellen Differentialgleichungssysteme wurde das Verfahren von Galjerkin (Finite Elemente; Methode des gewichtetens Rests) ausgewählt.